0 0 0
  7. DACMI160N1200

Транзисторні модулі MOSFET DACMI160N1200

 
DACMI160N1200
 
DACO Semiconductor
Артикул: 268570
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 110А; SOT227B; Idm: 400А; SiC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
10 680.81 грн
3+
10 490.08 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DACO Semiconductor(1279)
Робоча температура
-55...150°C(1819759)
Корпус
SOT227B(1440097)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
110А(1479508)
Опір в стані провідності
20мОм(1441284)
Потужність розсіювання
580Вт(1741904)
Поляризація
польовий(1441242)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Технологія
SiC(1591568)
Напруга затвор-джерело
-5...20В(1981130)
Струм стоку в імпульсі
400А(1714521)
Додаткова інформація: Маса брутто: 40 g
 
Транзисторні модулі MOSFET DACMI160N1200
DACO Semiconductor
Артикул: 268570
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 110А; SOT227B; Idm: 400А; SiC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
10 680.81 грн
3+
10 490.08 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DACO Semiconductor
Робоча температура
-55...150°C
Корпус
SOT227B
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
110А
Опір в стані провідності
20мОм
Потужність розсіювання
580Вт
Поляризація
польовий
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Технологія
SiC
Напруга затвор-джерело
-5...20В
Струм стоку в імпульсі
400А
Додаткова інформація: Маса брутто: 40 g