0 0 0
  7. DACMI200N1200

Транзисторні модулі MOSFET DACMI200N1200

 
DACMI200N1200
 
DACO Semiconductor
Артикул: 268571
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 125А; SOT227B; Idm: 500А; SiC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
24 734.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 6 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DACO Semiconductor(1279)
Робоча температура
-55...150°C(1819759)
Корпус
SOT227B(1440097)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
125А(1520456)
Опір в стані провідності
15мОм(1479025)
Потужність розсіювання
980Вт(1742146)
Поляризація
польовий(1441242)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Технологія
SiC(1591568)
Напруга затвор-джерело
-10...20В(1981142)
Струм стоку в імпульсі
500А(1714522)
Додаткова інформація: Маса брутто: 174,28 g
 
Транзисторні модулі MOSFET DACMI200N1200
DACO Semiconductor
Артикул: 268571
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 125А; SOT227B; Idm: 500А; SiC
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
24 734.51 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 6 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DACO Semiconductor
Робоча температура
-55...150°C
Корпус
SOT227B
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
125А
Опір в стані провідності
15мОм
Потужність розсіювання
980Вт
Поляризація
польовий
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Технологія
SiC
Напруга затвор-джерело
-10...20В
Струм стоку в імпульсі
500А
Додаткова інформація: Маса брутто: 174,28 g