0 0 0
  7. DACMI80N1200

Транзисторні модулі MOSFET DACMI80N1200

 
DACMI80N1200
 
DACO Semiconductor
Артикул: 268573
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 50А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
5 772.99 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DACO Semiconductor(1279)
Робоча температура
-55...150°C(1819759)
Корпус
SOT227B(1440097)
Структура напівпровідника
одиночний транзистор(1612385)
Напруга сток-джерело
1,2кВ(1593801)
Струм стока
50А(1441504)
Опір в стані провідності
34мОм(1441517)
Потужність розсіювання
460Вт(1741740)
Поляризація
польовий(1441242)
Електричний монтаж
пригвинчуваний(1612386)
Механічний монтаж
пригвинчуваний(1446982)
Тип модуля
транзисторний(1593952)
Технологія
SiC(1591568)
Напруга затвор-джерело
-10...20В(1981142)
Струм стоку в імпульсі
250А(1714519)
Додаткова інформація: Маса брутто: 36,6 g
 
Транзисторні модулі MOSFET DACMI80N1200
DACO Semiconductor
Артикул: 268573
Модуль; одиночний транзистор; 1,2кВ; 50А; SOT227B; пригвинчуваний
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
5 772.99 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 4 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DACO Semiconductor
Робоча температура
-55...150°C
Корпус
SOT227B
Структура напівпровідника
одиночний транзистор
Напруга сток-джерело
1,2кВ
Струм стока
50А
Опір в стані провідності
34мОм
Потужність розсіювання
460Вт
Поляризація
польовий
Електричний монтаж
пригвинчуваний
Механічний монтаж
пригвинчуваний
Тип модуля
транзисторний
Технологія
SiC
Напруга затвор-джерело
-10...20В
Струм стоку в імпульсі
250А
Додаткова інформація: Маса брутто: 36,6 g