0 0 0
  8. 2N7002AQ-7

Транзистори з каналом N SMD 2N7002AQ-7

 
2N7002AQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075067
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,37Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
7.08 грн
50+
3.76 грн
250+
3.34 грн
345+
2.88 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 5
Кількість: 1900 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,2А(1644064)
Опір в стані провідності
6Ом(1441534)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
0,37Вт(1742045)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,016 g
 
Транзистори з каналом N SMD 2N7002AQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075067
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,2А; 0,37Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
7.08 грн
50+
3.76 грн
250+
3.34 грн
345+
2.88 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 5
Кількість: 1900 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,2А
Опір в стані провідності
6Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
0,37Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,016 g