0 0 0
  8. 2N7002KQ-13

Транзистори з каналом N SMD 2N7002KQ-13

 
2N7002KQ-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075078
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; 0,37Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
20+
3.77 грн
100+
3.40 грн
400+
2.63 грн
1060+
2.48 грн
Мін. замовлення: 20
Кратність: 20
Кількість: 2760 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,31А(1643335)
Опір в стані провідності
3Ом(1441400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
0,37Вт(1742045)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,016 g
 
Транзистори з каналом N SMD 2N7002KQ-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075078
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,31А; 0,37Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
20+
3.77 грн
100+
3.40 грн
400+
2.63 грн
1060+
2.48 грн
Мін. замовлення: 20
Кратність: 20
Кількість: 2760 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,31А
Опір в стані провідності
3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
0,37Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,016 g