0 0 0
  8. DMG1013UW-7

Транзистори з каналом P SMD DMG1013UW-7

 
DMG1013UW-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140575
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,54А; 0,31Вт; SOT323
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
14.79 грн
25+
4.47 грн
100+
3.52 грн
305+
3.30 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 33075 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323(1492062)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-0,54А(1644076)
Опір в стані провідності
1,5Ом(1441464)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,31Вт(1742047)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,014 g
 
Транзистори з каналом P SMD DMG1013UW-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140575
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -0,54А; 0,31Вт; SOT323
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
14.79 грн
25+
4.47 грн
100+
3.52 грн
305+
3.30 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 33075 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-0,54А
Опір в стані провідності
1,5Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,31Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,014 g