0 0 0
  7. DMG1016UDW-7

Транзисторы многоканальные DMG1016UDW-7

 
DMG1016UDW-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000180
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,53Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.33 грн
50+
6.30 грн
200+
5.04 грн
545+
4.80 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 2060 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напруга сток-джерело
20/-20В(1596061)
Струм стока
0,85/-1,07А(1643473)
Опір в стані провідності
0,45/0,75Ом(1644050)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
0,53Вт(1742035)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид транзистора
комплементарні(1492083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,013 g
 
Транзисторы многоканальные DMG1016UDW-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000180
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,53Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.33 грн
50+
6.30 грн
200+
5.04 грн
545+
4.80 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 2060 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напруга сток-джерело
20/-20В
Струм стока
0,85/-1,07А
Опір в стані провідності
0,45/0,75Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,53Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид транзистора
комплементарні
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,013 g