0 0 0
  7. DMG1016UDWQ-7

Транзистори багатоканальні DMG1016UDWQ-7

 
DMG1016UDWQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401738
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,69/-0,548А; Idm: 3,2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
10.81 грн
25+
5.85 грн
100+
5.19 грн
215+
4.73 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напруга сток-джерело
20/-20В(1596061)
Струм стока
0,69/-0,548А(1810762)
Опір в стані провідності
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
0,33Вт(1742046)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
3,2А(1810533)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні DMG1016UDWQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401738
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; 20/-20В; 0,69/-0,548А; Idm: 3,2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
10.81 грн
25+
5.85 грн
100+
5.19 грн
215+
4.73 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напруга сток-джерело
20/-20В
Струм стока
0,69/-0,548А
Опір в стані провідності
0,45Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
0,33Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
3,2А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g