0 0 0
  7. DMG1016VQ-7

Транзистори багатоканальні DMG1016VQ-7

 
DMG1016VQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000181
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,53Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.38 грн
25+
13.24 грн
94+
10.45 грн
257+
9.89 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494)
Напруга сток-джерело
20/-20В(1596061)
Струм стока
0,087/-0,064А(1643463)
Опір в стані провідності
0,4/0,7Ом(1644034)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
0,53Вт(1742035)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид транзистора
комплементарні(1492083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори багатоканальні DMG1016VQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000181
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 20/-20В; 0,53Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.38 грн
25+
13.24 грн
94+
10.45 грн
257+
9.89 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Напруга сток-джерело
20/-20В
Струм стока
0,087/-0,064А
Опір в стані провідності
0,4/0,7Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
0,53Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид транзистора
комплементарні
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g