0 0 0
  7. DMG1023UV-7

Транзистори багатоканальні DMG1023UV-7

 
DMG1023UV-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000182
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -0,68А; 0,53Вт; SOT563
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
20.74 грн
10+
15.55 грн
100+
9.89 грн
150+
6.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2990 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-680мА(1600705)
Опір в стані провідності
25Ом(1536803)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Потужність розсіювання
0,53Вт(1742035)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,02 g
 
Транзистори багатоканальні DMG1023UV-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000182
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; -0,68А; 0,53Вт; SOT563
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
20.74 грн
10+
15.55 грн
100+
9.89 грн
150+
6.67 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2990 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-680мА
Опір в стані провідності
25Ом
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,53Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,02 g