0 0 0
  7. DMG1024UV-7

Транзистори багатоканальні DMG1024UV-7

 
DMG1024UV-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000183
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,89А; 0,53Вт; SOT563
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
11.67 грн
50+
10.48 грн
120+
8.57 грн
330+
8.10 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 10
Кількість: 2260 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
0,89А(1644073)
Опір в стані провідності
0,45Ом(1638676)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,53Вт(1742035)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,008 g
 
Транзистори багатоканальні DMG1024UV-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000183
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 0,89А; 0,53Вт; SOT563
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
11.67 грн
50+
10.48 грн
120+
8.57 грн
330+
8.10 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 10
Кількість: 2260 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
0,89А
Опір в стані провідності
0,45Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,53Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,008 g