0 0 0
  7. DMG1026UV-7

Транзистори багатоканальні DMG1026UV-7

 
DMG1026UV-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401829
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 1А; 0,58Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
13.99 грн
25+
10.01 грн
100+
8.82 грн
130+
7.68 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 3723 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,3А(1644067)
Опір в стані провідності
1,8Ом(1441406)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,58Вт(1790350)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
1А(1709878)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,011 g
 
Транзистори багатоканальні DMG1026UV-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401829
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,3А; Idm: 1А; 0,58Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
13.99 грн
25+
10.01 грн
100+
8.82 грн
130+
7.68 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 3723 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,3А
Опір в стані провідності
1,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,58Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,011 g