0 0 0
  7. DMG1029SV-7

Транзистори багатоканальні DMG1029SV-7

 
DMG1029SV-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 896269
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 0,66Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
27.78 грн
10+
21.27 грн
50+
15.80 грн
100+
13.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT563(1596494)
Напруга сток-джерело
60/-60В(1596127)
Струм стока
0,4/-0,28А(1643467)
Опір в стані провідності
1,7/4Ом(1644051)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
0,66Вт(1742039)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид транзистора
комплементарні(1492083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,011 g
 
Транзистори багатоканальні DMG1029SV-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 896269
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 60/-60В; 0,66Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
27.78 грн
10+
21.27 грн
50+
15.80 грн
100+
13.58 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT563
Напруга сток-джерело
60/-60В
Струм стока
0,4/-0,28А
Опір в стані провідності
1,7/4Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,66Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид транзистора
комплементарні
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,011 g