0 0 0
  8. DMG3415UQ-7

Транзистори з каналом P SMD DMG3415UQ-7

 
DMG3415UQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140579
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; 0,9Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
13.21 грн
25+
11.88 грн
100+
10.46 грн
110+
9.20 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 2085 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
-2А(1492324)
Опір в стані провідності
71мОм(1702171)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
0,9Вт(1742026)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,019 g
 
Транзистори з каналом P SMD DMG3415UQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140579
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -20В; -2А; 0,9Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
13.21 грн
25+
11.88 грн
100+
10.46 грн
110+
9.20 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 2085 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
-2А
Опір в стані провідності
71мОм
Тип транзистора
P-MOSFET
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
0,9Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,019 g