0 0 0
  7. DMG6601LVT-7

Транзистори багатоканальні DMG6601LVT-7

 
DMG6601LVT-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000190
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 3/-2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
27.78 грн
5+
17.46 грн
10+
14.92 грн
50+
10.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 570 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOT26(1605071)
Напруга сток-джерело
30/-30В(1596055)
Струм стока
3/-2А(1596128)
Опір в стані провідності
0,065/0,142Ом(1644053)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
0,54Вт(1741901)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид транзистора
комплементарні(1492083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,021 g
 
Транзистори багатоканальні DMG6601LVT-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000190
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; 3/-2А
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
27.78 грн
5+
17.46 грн
10+
14.92 грн
50+
10.40 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 570 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
TSOT26
Напруга сток-джерело
30/-30В
Струм стока
3/-2А
Опір в стані провідності
0,065/0,142Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,54Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид транзистора
комплементарні
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,021 g