0 0 0
  7. DMG6602SVT-7

Транзистори багатоканальні DMG6602SVT-7

 
DMG6602SVT-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000191
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; TSOT26
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
26.32 грн
5+
18.66 грн
10+
15.71 грн
50+
10.93 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3140 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSOT26(1605071)
Напруга сток-джерело
30/-30В(1596055)
Струм стока
2,8/-3,4А(1643479)
Опір в стані провідності
0,06/0,095Ом(1644054)
Тип транзистора
N/P-MOSFET(1441267)
Потужність розсіювання
1,112Вт(1742041)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид транзистора
комплементарні(1492083)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,018 g
 
Транзистори багатоканальні DMG6602SVT-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000191
Транзистор: N/P-MOSFET; польовий; додаткова пара; 30/-30В; TSOT26
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
26.32 грн
5+
18.66 грн
10+
15.71 грн
50+
10.93 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 3140 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
TSOT26
Напруга сток-джерело
30/-30В
Струм стока
2,8/-3,4А
Опір в стані провідності
0,06/0,095Ом
Тип транзистора
N/P-MOSFET
Потужність розсіювання
1,112Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид транзистора
комплементарні
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,018 g