Транзистори багатоканальні DMG6968UDM-7

 
DMG6968UDM-7
 
Артикул: 000192
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
32.55 грн
78+
13.02 грн
214+
12.30 грн
3000+
11.83 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2870 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT26(1492497)
Структура напівпровідника
загальний дренаж(1609794)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
5,2А(1441595)
Опір в стані провідності
24мОм(1441281)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,85Вт(1742052)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,021 g
 
Транзистори багатоканальні DMG6968UDM-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000192
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 20В; 5,2А; 0,85Вт; SOT26
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
32.55 грн
78+
13.02 грн
214+
12.30 грн
3000+
11.83 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2870 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT26
Структура напівпровідника
загальний дренаж
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
5,2А
Опір в стані провідності
24мОм
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,85Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,021 g