0 0 0
  8. DMN1004UFV-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN1004UFV-7

 
DMN1004UFV-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075929
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 55А; 0,9Вт; PowerDI®3333-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
23.06 грн
25+
20.78 грн
57+
17.58 грн
157+
16.62 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 1843 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
PowerDI®3333-8(1740061)
Напруга сток-джерело
12В(1441274)
Струм стока
55А(1441569)
Опір в стані провідності
5,1мОм(1479509)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,9Вт(1742026)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,057 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN1004UFV-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075929
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 55А; 0,9Вт; PowerDI®3333-8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
23.06 грн
25+
20.78 грн
57+
17.58 грн
157+
16.62 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Кількість: 1843 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
PowerDI®3333-8
Напруга сток-джерело
12В
Струм стока
55А
Опір в стані провідності
5,1мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,9Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,057 g