Транзистори з каналом N SMD DMN1008UFDF-7

 
DMN1008UFDF-7
 
Артикул: 659838
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 9,8А; Idm: 60А; 1Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.73 грн
10+
15.81 грн
30+
13.98 грн
76+
13.19 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
U-DFN2020-6(1628271)
Напруга сток-джерело
12В(1441274)
Струм стока
9,8А(1441288)
Опір в стані провідності
12,5мОм(1441540)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1Вт(1487288)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
23,4нКл(1609977)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
60А(1741654)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD DMN1008UFDF-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659838
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 9,8А; Idm: 60А; 1Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.73 грн
10+
15.81 грн
30+
13.98 грн
76+
13.19 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
U-DFN2020-6
Напруга сток-джерело
12В
Струм стока
9,8А
Опір в стані провідності
12,5мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
23,4нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
60А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g