0 0 0
  8. DMN1045UFR4-7

Транзисторы с каналом N SMD DMN1045UFR4-7

 
DMN1045UFR4-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075931
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 3,2А; 1,26Вт; X2-DFN1010-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.28 грн
25+
6.36 грн
100+
5.64 грн
200+
5.01 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X2-DFN1010-3(1740062)
Напруга сток-джерело
12В(1441274)
Струм стока
3,2А(1492373)
Опір в стані провідності
0,1Ом(1492330)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,26Вт(1742064)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN1045UFR4-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075931
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 12В; 3,2А; 1,26Вт; X2-DFN1010-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.28 грн
25+
6.36 грн
100+
5.64 грн
200+
5.01 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X2-DFN1010-3
Напруга сток-джерело
12В
Струм стока
3,2А
Опір в стані провідності
0,1Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,26Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g