0 0 0
  8. DMN2019UTS-13

Транзистори з каналом N SMD DMN2019UTS-13

 
DMN2019UTS-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660202
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; Idm: 30А; 780мВт; TSSOP8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.73 грн
10+
14.29 грн
30+
12.70 грн
84+
11.96 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSSOP8(1443829)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
4,3А(1441593)
Опір в стані провідності
31мОм(1479141)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,78Вт(1742049)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
8,8нКл(1636391)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
30А(1741680)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD DMN2019UTS-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660202
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,3А; Idm: 30А; 780мВт; TSSOP8
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.73 грн
10+
14.29 грн
30+
12.70 грн
84+
11.96 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
TSSOP8
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
4,3А
Опір в стані провідності
31мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,78Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
8,8нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
30А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g