0 0 0
  8. DMN2020LSN-7

Транзистори з каналом N SMD DMN2020LSN-7

 
DMN2020LSN-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401833
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,5А; Idm: 30А; 0,61Вт; SC59
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
13.35 грн
25+
10.01 грн
100+
8.90 грн
125+
8.09 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 255 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SC59(1596294)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
4,5А(1441265)
Опір в стані провідності
20мОм(1441284)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,61Вт(1810757)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
30А(1741680)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,027 g
 
Транзистори з каналом N SMD DMN2020LSN-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401833
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 4,5А; Idm: 30А; 0,61Вт; SC59
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
13.35 грн
25+
10.01 грн
100+
8.90 грн
125+
8.09 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 255 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SC59
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
4,5А
Опір в стані провідності
20мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,61Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
30А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,027 g