0 0 0
  8. DMN2300UFB4-7B

Транзисторы с каналом N SMD DMN2300UFB4-7B

 
DMN2300UFB4-7B
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075948
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,96А; 0,5Вт; X1-DFN1006-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
21.45 грн
10+
15.97 грн
20+
12.99 грн
50+
9.20 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X1-DFN1006-3(1705809)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
0,96А(1635015)
Опір в стані провідності
0,5Ом(1492338)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,5Вт(1507575)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g
 
Транзисторы с каналом N SMD DMN2300UFB4-7B
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075948
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,96А; 0,5Вт; X1-DFN1006-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
21.45 грн
10+
15.97 грн
20+
12.99 грн
50+
9.20 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X1-DFN1006-3
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
0,96А
Опір в стані провідності
0,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,025 g