0 0 0
  8. DMN2400UFB-7

Транзистори з каналом N SMD DMN2400UFB-7

 
DMN2400UFB-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659967
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 550мА; Idm: 3А; 470мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
6.39 грн
50+
5.27 грн
250+
4.05 грн
680+
3.83 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 10
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X1-DFN1006-3(1705809)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
0,55А(1702210)
Опір в стані провідності
0,9Ом(1492457)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,47Вт(1741781)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
0,5нКл(1642908)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
3А(1709877)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD DMN2400UFB-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659967
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 550мА; Idm: 3А; 470мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
6.39 грн
50+
5.27 грн
250+
4.05 грн
680+
3.83 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 10
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X1-DFN1006-3
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
0,55А
Опір в стані провідності
0,9Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,47Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
0,5нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
3А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g