0 0 0
  8. DMN26D0UT-7

Транзистори з каналом N SMD DMN26D0UT-7

 
DMN26D0UT-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075951
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,23А; 0,3Вт; SOT523
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
7.03 грн
100+
3.77 грн
350+
2.89 грн
940+
2.74 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 10
Кількість: 460 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT523(1611438)
Напруга сток-джерело
20В(1441277)
Струм стока
0,23А(1643336)
Опір в стані провідності
15Ом(1459386)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,3Вт(1507578)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори з каналом N SMD DMN26D0UT-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075951
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 20В; 0,23А; 0,3Вт; SOT523
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
7.03 грн
100+
3.77 грн
350+
2.89 грн
940+
2.74 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 10
Кількість: 460 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT523
Напруга сток-джерело
20В
Струм стока
0,23А
Опір в стані провідності
15Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g