0 0 0
  8. DMN3055LFDB-7

Транзистори з каналом N SMD DMN3055LFDB-7

 
DMN3055LFDB-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660158
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; Idm: 25А; 870мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.17 грн
10+
15.26 грн
30+
13.50 грн
79+
12.77 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
U-DFN2020-6(1628271)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
4А(1441365)
Опір в стані провідності
75мОм(1479133)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,87Вт(1742071)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
11,2нКл(1619504)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
25А(1742151)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD DMN3055LFDB-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 660158
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 4А; Idm: 25А; 870мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.17 грн
10+
15.26 грн
30+
13.50 грн
79+
12.77 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
U-DFN2020-6
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
4А
Опір в стані провідності
75мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,87Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
11,2нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
25А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g