0 0 0
  8. DMN3067LW-7

Транзистори з каналом N SMD DMN3067LW-7

 
DMN3067LW-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401835
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,1А; Idm: 10А; 0,5Вт; SOT323
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
14.30 грн
25+
7.71 грн
100+
6.84 грн
160+
6.22 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 2710 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323(1492062)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
2,1А(1479110)
Опір в стані провідності
67мОм(1600697)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,5Вт(1507575)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
10А(1785364)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,019 g
 
Транзистори з каналом N SMD DMN3067LW-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401835
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 2,1А; Idm: 10А; 0,5Вт; SOT323
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
14.30 грн
25+
7.71 грн
100+
6.84 грн
160+
6.22 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 2710 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
2,1А
Опір в стані провідності
67мОм
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
10А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,019 g