0 0 0
  8. DMN30H4D1S-7

Транзистори з каналом N SMD DMN30H4D1S-7

 
DMN30H4D1S-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659991
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 6А; 1,69Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.82 грн
25+
9.27 грн
100+
8.15 грн
130+
7.75 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT223(1440831)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
2А(1441386)
Опір в стані провідності
0,25Ом(1459322)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,69Вт(1942217)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Струм стоку в імпульсі
6А(1790199)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD DMN30H4D1S-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659991
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 2А; Idm: 6А; 1,69Вт; SOT223
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.82 грн
25+
9.27 грн
100+
8.15 грн
130+
7.75 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT223
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
2А
Опір в стані провідності
0,25Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,69Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
6А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g