0 0 0
  7. DMN3190LDW-7

Транзистори багатоканальні DMN3190LDW-7

 
DMN3190LDW-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401838
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,9А; Idm: 9,6А; 0,32Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
12.55 грн
25+
6.75 грн
100+
5.96 грн
190+
5.32 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 2000 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
0,9А(1633430)
Опір в стані провідності
0,19Ом(1492557)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,32Вт(1742060)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
9,6А(1759124)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,012 g
 
Транзистори багатоканальні DMN3190LDW-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401838
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,9А; Idm: 9,6А; 0,32Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
12.55 грн
25+
6.75 грн
100+
5.96 грн
190+
5.32 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 2000 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
0,9А
Опір в стані провідності
0,19Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,32Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
9,6А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,012 g