0 0 0
  8. DMN3730UFB4-7

Транзистори з каналом N SMD DMN3730UFB4-7

 
DMN3730UFB4-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401840
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,75А; Idm: 10А; 0,45Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
9.67 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
0,75А(1632949)
Опір в стані провідності
0,46Ом(1758480)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,45Вт(1741765)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
10А(1785364)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g
 
Транзистори з каналом N SMD DMN3730UFB4-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401840
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,75А; Idm: 10А; 0,45Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
9.67 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
0,75А
Опір в стані провідності
0,46Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,45Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
10А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,01 g