0 0 0
  7. DMN53D0LDW-7

Транзистори багатоканальні DMN53D0LDW-7

 
DMN53D0LDW-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000201
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
12.35 грн
25+
5.12 грн
100+
4.62 грн
250+
3.84 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 2400 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напруга сток-джерело
50В(1441356)
Струм стока
0,25А(1702094)
Опір в стані провідності
2,5Ом(1441402)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,31Вт(1742047)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,014 g
 
Транзистори багатоканальні DMN53D0LDW-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000201
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,25А; 0,31Вт; SOT363
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
12.35 грн
25+
5.12 грн
100+
4.62 грн
250+
3.84 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 2400 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напруга сток-джерело
50В
Струм стока
0,25А
Опір в стані провідності
2,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,31Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,014 g