0 0 0
  7. DMN53D0LDWQ-7

Транзистори багатоканальні DMN53D0LDWQ-7

 
DMN53D0LDWQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 562615
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,37А; Idm: 1А; 0,4Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.28 грн
25+
8.98 грн
100+
7.15 грн
150+
6.75 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напруга сток-джерело
50В(1441356)
Струм стока
0,37А(1634147)
Опір в стані провідності
4,5Ом(1492423)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
0,4Вт(1507572)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
1,4нКл(1632948)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
1А(1709878)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори багатоканальні DMN53D0LDWQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 562615
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 50В; 0,37А; Idm: 1А; 0,4Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.28 грн
25+
8.98 грн
100+
7.15 грн
150+
6.75 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напруга сток-джерело
50В
Струм стока
0,37А
Опір в стані провідності
4,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
0,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
1,4нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g