0 0 0
  8. DMN53D0LQ-7

Транзистори з каналом N SMD DMN53D0LQ-7

 
DMN53D0LQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075968
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,37Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
12.71 грн
25+
5.27 грн
100+
4.75 грн
260+
3.80 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 425 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
50В(1441356)
Струм стока
0,2А(1644064)
Опір в стані провідності
2,5Ом(1441402)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
0,37Вт(1742045)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,013 g
 
Транзистори з каналом N SMD DMN53D0LQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075968
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 0,2А; 0,37Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
12.71 грн
25+
5.27 грн
100+
4.75 грн
260+
3.80 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 425 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
50В
Струм стока
0,2А
Опір в стані провідності
2,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
0,37Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,013 g