Транзистори з каналом N SMD DMN55D0UTQ-7

 
DMN55D0UTQ-7
 
Артикул: 562616
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 160мА; Idm: 560А; 200мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
6.79 грн
50+
5.72 грн
230+
4.39 грн
630+
4.15 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 10
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT523(1611438)
Напруга сток-джерело
50В(1441356)
Струм стока
0,16А(1702151)
Опір в стані провідності
5Ом(1441408)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Використання
automotive industry(1821825)
Потужність розсіювання
0,2Вт(1507579)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
295нКл(1918348)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
560А(1714532)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD DMN55D0UTQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 562616
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 50В; 160мА; Idm: 560А; 200мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
6.79 грн
50+
5.72 грн
230+
4.39 грн
630+
4.15 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 10
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT523
Напруга сток-джерело
50В
Струм стока
0,16А
Опір в стані провідності
5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Використання
automotive industry
Потужність розсіювання
0,2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
295нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
560А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g