0 0 0
  8. DMN601WK-7

Транзистори з каналом N SMD DMN601WK-7

 
DMN601WK-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075971
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 300мА; Idm: 0,8А; 0,2Вт; SOT323
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.28 грн
25+
4.73 грн
100+
4.27 грн
295+
3.38 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323(1492062)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,3А(1644067)
Опір в стані провідності
3Ом(1441400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,2Вт(1507579)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
0,8А(1741653)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом N SMD DMN601WK-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075971
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 300мА; Idm: 0,8А; 0,2Вт; SOT323
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.28 грн
25+
4.73 грн
100+
4.27 грн
295+
3.38 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,3А
Опір в стані провідності
3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,2Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
0,8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g