Транзистори з каналом N SMD DMN60H080DS-7

 
DMN60H080DS-7
 
Артикул: 659703
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 70мА; Idm: 0,2А; 1,1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.82 грн
25+
8.15 грн
100+
7.27 грн
165+
6.12 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
600В(1441385)
Струм стока
70мА(1942271)
Опір в стані провідності
0,29Ом(1492417)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
1,1Вт(1449376)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
1,7нКл(1636487)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
0,2А(1709864)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD DMN60H080DS-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659703
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 600В; 70мА; Idm: 0,2А; 1,1Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.82 грн
25+
8.15 грн
100+
7.27 грн
165+
6.12 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
600В
Струм стока
70мА
Опір в стані провідності
0,29Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
1,1Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
1,7нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
0,2А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g