0 0 0
  8. DMN62D0LFB-7

Транзистори з каналом N SMD DMN62D0LFB-7

 
DMN62D0LFB-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659368
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 75мА; Idm: 1А; 500мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.98 грн
25+
8.63 грн
100+
7.67 грн
140+
7.29 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X1-DFN1006-3(1705809)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
75мА(1536814)
Опір в стані провідності
3Ом(1441400)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,5Вт(1507575)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
0,9нКл(1759234)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
1А(1709878)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD DMN62D0LFB-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659368
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 75мА; Idm: 1А; 500мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.98 грн
25+
8.63 грн
100+
7.67 грн
140+
7.29 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X1-DFN1006-3
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
75мА
Опір в стані провідності
3Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,5Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
0,9нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
1А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g