0 0 0
  7. DMN62D0UDW-7

Транзистори багатоканальні DMN62D0UDW-7

 
DMN62D0UDW-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401849
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,29А; 0,32Вт; SOT363
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.32 грн
25+
7.34 грн
100+
6.54 грн
195+
5.18 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 2125 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,29А(1810763)
Опір в стані провідності
2Ом(1441392)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,32Вт(1742060)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,012 g
 
Транзистори багатоканальні DMN62D0UDW-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401849
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,29А; 0,32Вт; SOT363
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.32 грн
25+
7.34 грн
100+
6.54 грн
195+
5.18 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 2125 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,29А
Опір в стані провідності
2Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,32Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,012 g