0 0 0
  7. DMN63D8LDWQ-7

Транзистори багатоканальні DMN63D8LDWQ-7

 
DMN63D8LDWQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000206
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.59 грн
25+
4.39 грн
100+
3.86 грн
270+
3.66 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 6350 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
0,26А(1702157)
Опір в стані провідності
2,8Ом(1441404)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,3Вт(1507578)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,019 g
 
Транзистори багатоканальні DMN63D8LDWQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 000206
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 30В; 0,26А; 0,3Вт; SOT363
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
11.59 грн
25+
4.39 грн
100+
3.86 грн
270+
3.66 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 6350 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
0,26А
Опір в стані провідності
2,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,019 g