0 0 0
  8. DMN63D8LW-13

Транзистори з каналом N SMD DMN63D8LW-13

 
DMN63D8LW-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075979
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,33А; 0,3Вт; SOT323
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
25+
3.10 грн
100+
2.78 грн
475+
2.14 грн
1300+
2.02 грн
Мін. замовлення: 25
Кратність: 25
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323(1492062)
Напруга сток-джерело
30В(1441247)
Струм стока
0,33А(1740002)
Опір в стані провідності
3,8Ом(1441366)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,3Вт(1507578)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g
 
Транзистори з каналом N SMD DMN63D8LW-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075979
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 30В; 0,33А; 0,3Вт; SOT323
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
25+
3.10 грн
100+
2.78 грн
475+
2.14 грн
1300+
2.02 грн
Мін. замовлення: 25
Кратність: 25
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323
Напруга сток-джерело
30В
Струм стока
0,33А
Опір в стані провідності
3,8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,5 g