0 0 0
  8. DMN65D8L-7

Транзистори з каналом N SMD DMN65D8L-7

 
DMN65D8L-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075980
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,54Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
8.42 грн
100+
2.34 грн
250+
2.01 грн
500+
1.81 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 10
Кількість: 570 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,21А(1644070)
Опір в стані провідності
4Ом(1441398)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,54Вт(1741901)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,015 g
 
Транзистори з каналом N SMD DMN65D8L-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075980
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,21А; 0,54Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
8.42 грн
100+
2.34 грн
250+
2.01 грн
500+
1.81 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 10
Кількість: 570 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,21А
Опір в стані провідності
4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,54Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,015 g