0 0 0
  7. DMN65D8LDWQ-7

Транзисторы многоканальные DMN65D8LDWQ-7

 
DMN65D8LDWQ-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 654999
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 160мА; Idm: 0,8А; 400мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
5.98 грн
50+
5.40 грн
220+
4.52 грн
610+
4.27 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 10
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,16А(1702151)
Опір в стані провідності
8Ом(1441548)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,4Вт(1507572)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
(1942274)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
0,8А(1741653)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзисторы многоканальные DMN65D8LDWQ-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 654999
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 160мА; Idm: 0,8А; 400мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
5.98 грн
50+
5.40 грн
220+
4.52 грн
610+
4.27 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 10
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,16А
Опір в стані провідності
8Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,4Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
0,8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g