0 0 0
  8. DMN65D8LFB-7

Транзистори з каналом N SMD DMN65D8LFB-7

 
DMN65D8LFB-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659778
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 310мА; 840мВт; X1-DFN1006-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
20+
3.95 грн
100+
3.55 грн
380+
2.73 грн
1020+
2.58 грн
Мін. замовлення: 20
Кратність: 20
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X1-DFN1006-3(1705809)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,31А(1643335)
Опір в стані провідності
4Ом(1441398)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,84Вт(1810767)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
(1942274)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори з каналом N SMD DMN65D8LFB-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 659778
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 310мА; 840мВт; X1-DFN1006-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
20+
3.95 грн
100+
3.55 грн
380+
2.73 грн
1020+
2.58 грн
Мін. замовлення: 20
Кратність: 20
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X1-DFN1006-3
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,31А
Опір в стані провідності
4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,84Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g