0 0 0
  8. DMN65D8LW-7

Транзистори з каналом N SMD DMN65D8LW-7

 
DMN65D8LW-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075981
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,26А; 0,3Вт; SOT323
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
28.60 грн
90+
11.04 грн
246+
10.41 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2993 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT323(1492062)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,26А(1702157)
Опір в стані провідності
4Ом(1441398)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
0,3Вт(1507578)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,015 g
 
Транзистори з каналом N SMD DMN65D8LW-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 075981
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 60В; 0,26А; 0,3Вт; SOT323
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
28.60 грн
90+
11.04 грн
246+
10.41 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Кількість: 2993 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT323
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,26А
Опір в стані провідності
4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
0,3Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,015 g