0 0 0
  7. DMN66D0LDW-7

Транзистори багатоканальні DMN66D0LDW-7

 
DMN66D0LDW-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401851
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,073А; Idm: 0,8А; 0,25Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
10.17 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,073А(1702221)
Опір в стані провідності
5Ом(1441408)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,25Вт(1701903)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
0,8А(1741653)
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори багатоканальні DMN66D0LDW-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 401851
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 0,073А; Idm: 0,8А; 0,25Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3000+
10.17 грн
Мін. замовлення: 3000
Кратність: 3000
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,073А
Опір в стані провідності
5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,25Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
0,8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g