Транзистори багатоканальні DMN67D8LDW-7

 
DMN67D8LDW-7
 
Артикул: 654993
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 180мА; Idm: 0,8А; 410мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
5.88 грн
50+
5.58 грн
220+
4.64 грн
590+
4.38 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 10
Строк поставки:  уточнюйте
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT363(1492061)
Напруга сток-джерело
60В(1441252)
Струм стока
0,18А(1645013)
Опір в стані провідності
7,5Ом(1441519)
Тип транзистора
N-MOSFET x2(1441263)
Потужність розсіювання
0,41Вт(1701890)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Заряд затвора
821пКл(1918337)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
0,8А(1741653)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори багатоканальні DMN67D8LDW-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 654993
Транзистор: N-MOSFET x2; польовий; 60В; 180мА; Idm: 0,8А; 410мВт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
5.88 грн
50+
5.58 грн
220+
4.64 грн
590+
4.38 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 10
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT363
Напруга сток-джерело
60В
Струм стока
0,18А
Опір в стані провідності
7,5Ом
Тип транзистора
N-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,41Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Заряд затвора
821пКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
0,8А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g