0 0 0
  8. DMN80H2D0SCTI

Транзистори з каналом N THT DMN80H2D0SCTI

 
DMN80H2D0SCTI
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 546556
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4А; Idm: 28А; 16Вт; ITO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
97.20 грн
3+
87.64 грн
10+
77.28 грн
15+
65.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
THT(1436576)
Корпус
ITO220AB(1622387)
Напруга сток-джерело
800В(1441395)
Струм стока
4А(1441365)
Опір в стані провідності
1,4Ом(1441598)
Тип транзистора
N-MOSFET(1441241)
Потужність розсіювання
16Вт(1608400)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
туба(1443467)
Заряд затвора
35,4нКл(1905960)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
28А(1801403)
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g
 
Транзистори з каналом N THT DMN80H2D0SCTI
DIODES INCORPORATED
Артикул: 546556
Транзистор: N-MOSFET; польовий; 800В; 4А; Idm: 28А; 16Вт; ITO220AB
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
1+
97.20 грн
3+
87.64 грн
10+
77.28 грн
15+
65.33 грн
Мін. замовлення: 1
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
THT
Корпус
ITO220AB
Напруга сток-джерело
800В
Струм стока
4А
Опір в стані провідності
1,4Ом
Тип транзистора
N-MOSFET
Потужність розсіювання
16Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
туба
Заряд затвора
35,4нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
28А
Додаткова інформація: Маса брутто: 2 g