0 0 0
  8. DMP10H4D2S-7

Транзистори з каналом P SMD DMP10H4D2S-7

 
DMP10H4D2S-7
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140585
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,21А; 0,38Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
14.16 грн
25+
7.23 грн
100+
6.45 грн
185+
5.51 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 40 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
SOT23(1440262)
Напруга сток-джерело
-100В(1478949)
Струм стока
-0,21А(1702212)
Опір в стані провідності
5Ом(1441408)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,38Вт(1742055)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,017 g
 
Транзистори з каналом P SMD DMP10H4D2S-7
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140585
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -100В; -0,21А; 0,38Вт; SOT23
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
5+
14.16 грн
25+
7.23 грн
100+
6.45 грн
185+
5.51 грн
Мін. замовлення: 5
Кратність: 5
Кількість: 40 шт.
Строк поставки:  2-4 тижні
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
SOT23
Напруга сток-джерело
-100В
Струм стока
-0,21А
Опір в стані провідності
5Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,38Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,017 g