0 0 0
  8. DMP1555UFA-7B

Транзистори з каналом P SMD DMP1555UFA-7B

 
DMP1555UFA-7B
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140586
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -0,2А; 0,36Вт; X2-DFN0806-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
6.68 грн
30+
5.06 грн
100+
4.48 грн
260+
3.86 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 10
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
X2-DFN0806-3(1740065)
Напруга сток-джерело
-12В(1478988)
Струм стока
-0,2А(1645021)
Опір в стані провідності
5Ом(1441408)
Тип транзистора
P-MOSFET(1441250)
Потужність розсіювання
0,36Вт(1741851)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g
 
Транзистори з каналом P SMD DMP1555UFA-7B
DIODES INCORPORATED
Артикул: 140586
Транзистор: P-MOSFET; польовий; -12В; -0,2А; 0,36Вт; X2-DFN0806-3
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
10+
6.68 грн
30+
5.06 грн
100+
4.48 грн
260+
3.86 грн
Мін. замовлення: 10
Кратність: 10
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
X2-DFN0806-3
Напруга сток-джерело
-12В
Струм стока
-0,2А
Опір в стані провідності
5Ом
Тип транзистора
P-MOSFET
Потужність розсіювання
0,36Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Вид каналу
збагачений
Додаткова інформація: Маса брутто: 0,1 g