0 0 0
  7. DMP2035UTS-13

Транзистори багатоканальні DMP2035UTS-13

 
DMP2035UTS-13
 
DIODES INCORPORATED
Артикул: 564702
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; 3,96А; Idm: 22А; 0,89Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.86 грн
10+
18.75 грн
50+
16.53 грн
65+
15.34 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Купити
Виробник
DIODES INCORPORATED(584)
Монтаж
SMD(1436750)
Корпус
TSSOP8(1443829)
Структура напівпровідника
загальний дренаж(1609794)
Напруга сток-джерело
-20В(1478965)
Струм стока
3,96А(1888041)
Опір в стані провідності
62мОм(1441261)
Тип транзистора
P-MOSFET x2(1441255)
Потужність розсіювання
0,89Вт(1775140)
Поляризація
польовий(1441242)
Вид упаковки
cтрічка(1443488) ролик(1437179)
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate(1712711)
Заряд затвора
15,4нКл(1609807)
Вид каналу
збагачений(1536812)
Напруга затвор-джерело
Струм стоку в імпульсі
22А(1801380)
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g
 
Транзистори багатоканальні DMP2035UTS-13
DIODES INCORPORATED
Артикул: 564702
Транзистор: P-MOSFET x2; польовий; -20В; 3,96А; Idm: 22А; 0,89Вт
Кількість (шт.)
Ціна без ПДВ (грн/шт.)
3+
19.86 грн
10+
18.75 грн
50+
16.53 грн
65+
15.34 грн
Мін. замовлення: 3
Кратність: 1
Строк поставки:  уточнюйте
Специфікація
Виробник
DIODES INCORPORATED
Монтаж
SMD
Корпус
TSSOP8
Структура напівпровідника
загальний дренаж
Напруга сток-джерело
-20В
Струм стока
3,96А
Опір в стані провідності
62мОм
Тип транзистора
P-MOSFET x2
Потужність розсіювання
0,89Вт
Поляризація
польовий
Вид упаковки
cтрічка
Вид упаковки
ролик
Властивості напівпровідникових елементів
ESD protected gate
Заряд затвора
15,4нКл
Вид каналу
збагачений
Струм стоку в імпульсі
22А
Додаткова інформація: Маса брутто: 1 g